Ученые из Университета Райса в Техасе приступили к коммерческой реализации резистивной памяти со случайным доступом (RRAM). Плотность такой памяти на порядок выше современной флэш-памяти, что позволит смартфонам и другим мобильным устройствам вмещать терабайты данных. По сравнению с флэш-памятью, в которой биты хранятся в виде зарядов, размеры ячеек в RRAM гораздо меньше, поэтому при использовании RRAM в единице объема помещается гораздо больше информации. Еще одно преимущество RRAM заключается в простоте наложения слоев ячеек друг на друга, что позволяет экономить занимаемую микросхемой площадь. Производство RRAM-чипов – довольно дорогостоящий процесс, требующий высокой температуры. Кроме того, для переключения состояния самих ячеек требуется высокое напряжение, воздействие которого на материал сокращает срок эксплуатации чипов. Техасские исследователи утверждают, что им удалось решить обе эти проблемы. Они придумали RRAM-память, производство которой не требует высокой температуры, а переключение ее состояния – высокого напряжения. Предложенная учеными ячейка RRAM-памяти состоит из трех слоев: двух металлических пластин, играющих роль электродов, и расположенной между ними перфорированной пластины из диоксида кремния, с отверстиями диаметром 5 нм. Разработкой RRAM-памяти занимаются не только научные коллективы, но и некоторые компании. В августе 2013 году калифорнийский стартап Crossbar объявил о создании чипов RRAM размером с почтовую марку, способных вмещать 1 ТБ информации. В ближайшие годы Apple сможет увеличить объем памяти iPhone от 128 Гб до 1 Тб.
