Часть пользователей iPhone 6 Plus столкнулась с зависаниями и перезагрузками смартфона, это утверждение верно для 128 Гб версии. Проблемы со смартфоном на уровне аппаратной части, из-за чего Apple придется вносить коррективы в технологический процесс.В 128 Гб iPhone 6 Plus применяется NAND-память с трехуровневыми ячейками TLC. Этот тип памяти в сравнении с одноуровневым SLC может хранить больше информации при сохранении тех же размеров чипа, но менее надежен и приводит к появлению большего количества ошибок. Память TLC – разновидность флеш-памяти типа NAND – хранит три бита данных в одной ячейке. То есть в два и в три раза больше, чем в SLC и MLC соответственно. При этом память TLC дешевле, но уступает SLC и MLC по скорости записи и считывания данных. Apple стали использовать TLC для экономии, когда был вариант многоуровневой памяти MLC.
Проблемы с TLC памятью наблюдались и у других производителей. Например, ненадежные SSD Samsung 840 и 840 EVO. Единственное, правильное решение в данной ситуации — обменять iPhone 6 Plus на новый с меньшим количеством памяти 16 Гб или 64 Гб, где используется NAND-память с одноуровневыми ячейками SLC. Напомним, что у нашего сервиса есть опыт изменения объема памяти iPhone. Получилось увеличить память iPhone перепаяв NAND чип от старшей модели. По мере накопления негативного опыта у пользователей, начнем изучать и тестировать перекатку чипа памяти в iPhone 6.
